Samsung zHBM y HBM4E en FMS 2026: la memoria vertical que multiplica por ocho HBM5

Samsung ha vuelto al centro del mapa de la memoria para inteligencia artificial. El 5 de agosto de 2026, en el Future of Memory and Storage (FMS) celebrado en Santa Clara, la surcoreana presentó un arsenal de anuncios que redefinen el techo de la memoria de alto ancho de banda: zHBM, una arquitectura que apila la memoria verticalmente encima del acelerador de IA y promete ocho veces el rendimiento de HBM5; HBM4E ya muestreada desde mayo, con 3,6 TB/s por pila y ventaja de meses sobre SK Hynix; LPDDR5X con procesamiento en memoria (PIM); el V10 BV-NAND con más de 400 capas, primer NAND del mundo en usar wafer bonding; y el SSD empresarial PM1763. Un movimiento coordinado que llega justo cuando Nvidia acaba de certificar a Samsung como proveedor principal de HBM4E para su plataforma Vera Rubin. La era en la que SK Hynix dominaba HBM3e y HBM4 sin oposición se ha terminado en un solo mes.

Qué es FMS 2026 y por qué importa

El Future of Memory and Storage es la reencarnación del histórico Flash Memory Summit, celebrado cada agosto en Santa Clara. Es el escaparate donde la industria de memoria (Samsung, SK Hynix, Micron, Kioxia, WDC) enseña sus roadmaps de tres a cinco años. Aquí Samsung presentó por primera vez el V-NAND en 2013 y ahora, trece años después, ha vuelto para desvelar el V10 BV-NAND, marcando una nueva era del almacenamiento.

La edición 2026 llega en un momento crítico. El cuello de botella de los grandes modelos de lenguaje ya no es tanto la potencia de cómputo del acelerador (Nvidia Blackwell Ultra o Rubin, AMD MI400) como la memoria: cuánto ancho de banda tiene disponible cada GPU, cuánta capacidad puede colgar de ella y a qué coste energético. Los data centers de OpenAI, Anthropic o xAI necesitan pilas HBM cada vez más gruesas, con más capas, con menor latencia por bit y con procesos térmicos que no derritan el sistema. Samsung ha llegado a Santa Clara con respuesta para cada uno de esos frentes.

En paralelo, la surcoreana firmó una alianza estratégica con Anthropic (foundry de custom silicon) el mismo día. Para el impacto de esa noticia complementaria, ver nuestro análisis de la estrategia multichip de Anthropic con Samsung Foundry.

zHBM: apilamiento vertical, la revolución 3D (8x HBM5)

La estrella indiscutible del FMS 2026 se llama zHBM. Es una ruptura de paradigma respecto a todo lo que hemos conocido en high-bandwidth memory: en lugar de colocar las pilas HBM al lado del acelerador (integración 2.5D sobre interposer, tal y como funcionan HBM3, HBM3e, HBM4 y HBM4E), zHBM las apila encima, en el eje Z, directamente sobre el die del acelerador. Por eso el prefijo z: vertical.

El salto de rendimiento que Samsung proyecta es brutal. Según su presentación, un futuro interface zHBM podría entregar ocho veces el ancho de banda de HBM5, con más de diez veces la densidad de memoria, tres veces la eficiencia energética y una reducción del 50% en resistencia térmica. Si HBM5 apunta a unos 4 TB/s por pila hacia 2028, zHBM estaría hablando de cifras cercanas a los 32 TB/s por pila. Para un chip Rubin Ultra con seis pilas eso serían casi 200 TB/s de memoria agregada.

Por qué el vertical cambia todo

El HBM clásico se comunica con el acelerador a través de un interposer de silicio (packaging CoWoS-S de TSMC, S-Bridge de Intel) que traduce las líneas del die del ASIC a las del die HBM. Ese interposer tiene un ancho de banda finito y su tamaño impone un techo (retículo litográfico de 858 mm2) al número de pilas HBM que caben alrededor. zHBM elimina el interposer: la comunicación es directa, cara con cara, por miles de conexiones hybrid-bonding cortas.

Los beneficios son inmediatos. Primero, la distancia media que recorre cada bit cae en un orden de magnitud, lo que dispara la eficiencia energética (los buses HBM son entre el 30% y 40% del consumo energético total de una GPU IA). Segundo, se libera el perimetro alrededor del ASIC, permitiendo más silicio útil o más chiplets. Tercero, la resistencia térmica baja porque el calor puede evacuarse por la parte inferior del die (bajo el ASIC) en lugar de competir con la GPU por el mismo disipador superior. Es esta gestión térmica el motivo por el que Samsung ha desarrollado en paralelo su tecnologia HPB (Hybrid Packaging Bonding) para soldar los dies sin degradar el silicio.

El detalle importante: zHBM sigue siendo un concepto. Samsung mostró la primera maqueta y un modelo teórico. No hay muestras, no hay fecha de producción, no hay precios. La comparativa con HBM5 (memoria que tampoco existe todavía en volumen) es intencionada para posicionar el mensaje: "cuando llegue HBM5, nosotros ya estaremos ocho veces por delante".

HBM4E: sampling y disponibilidad

Si zHBM es el titular, la noticia con dinero encima de la mesa es HBM4E. Samsung comenzó a enviar muestras de 12-Hi HBM4E a sus clientes clave a finales de mayo de 2026, siendo la primera de la industria en hacerlo. Las especificaciones que ha comunicado:

• 3,6 TB/s de ancho de banda por pila, con velocidad de pin de 16 Gbps.
• Pila de 12 capas con capacidad de 48 GB por stack.
• DRAM en proceso 1c (10-nanómetros clase 6), primero en usarse en HBM.
• Base die fabricado en 4 nm por Samsung Foundry, mejorando eficiencia respecto al 5 nm de HBM4.
• Mejora de más del 20% en eficiencia energética frente a HBM4.

SK Hynix respondió en junio enviando sus propias muestras HBM4E de 12 capas, con especificaciones muy similares (16 Gbps por pin, 48 GB por stack, unos 4 TB/s) y más del 20% de mejora en eficiencia. Micron, tercera en discordia, tiene toda su capacidad HBM4 de 2026 comprometida con clientes y observa desde una posicion secundaria mientras cualifica su HBM4E. La producción en masa de HBM4E para los tres proveedores está prevista para el primer semestre de 2027, coincidiendo con el lanzamiento de la plataforma Nvidia Rubin Ultra.

LPDDR5X-PIM: procesamiento en memoria

Samsung también aprovechó FMS para desvelar la primera memoria LPDDR5X con procesamiento en memoria (PIM) de la industria. Se trata de módulos LPDDR5X (el estándar low-power habitual en móviles y en cada vez más laptops IA) que integran unidades de cómputo dentro del propio silicio DRAM.

La lógica de PIM es simple: en muchas cargas de inferencia (multiplicaciones matriciales, activaciones, reducciones) el bit se mueve más de lo que se opera. Si dejas que la memoria haga la operación básica antes de sacarla al procesador, ahorras un viaje completo por el bus. En un smartphone o laptop ejecutando un modelo local (piensa Copilot local, Apple Intelligence, Gemini Nano) esto se traduce en menor consumo energético, más autonomía y menos latencia de token. Samsung ya había mostrado prototipos HBM-PIM en 2021, pero llevarlo a LPDDR5X abre el mercado a todo el dispositivo móvil, no solo al centro de datos.

V10 BV-NAND: primer NAND con 400+ capas (industry first)

Trece años después de presentar el primer V-NAND en el Flash Memory Summit de 2013, Samsung ha vuelto al mismo escenario con el V10 BV-NAND. Es el primer NAND del mundo que supera las 400 capas y el primero que aplica wafer bonding (unión oblea a oblea) para separar el array de celdas y la lógica periférica en dos wafers independientes que se fusionan al final del proceso.

Las cifras que Samsung ha dado son contundentes: 58% más de densidad de memoria respecto a V9 (280 capas), mejoras significativas en velocidad de lectura, escritura e I/O, y menor consumo por bit. La combinación de más capas y wafer bonding es lo que permite este salto: apilar por encima de 300 capas de forma monolítica se vuelve inviable por deformación mecánica y variaciones de proceso. Al fabricar cell array y CMOS por separado y unirlos con hybrid bonding, cada wafer puede optimizarse para su función.

V10 BV-NAND se usará primero en SSDs empresariales y de centro de datos durante 2027, y llegará al consumidor en la sucesión natural del 990 EVO Plus y del 990 Pro a lo largo de 2028. La expansión de capacidad a coste razonable que permitirá esta tecnología es clave para los SSDs de 8 y 16 TB en formato NVMe M.2 2280 que los creadores de contenido y gamers empezaran a demandar cuando los juegos superen los 300 GB de instalación.

PM1763: nuevo SSD enterprise PCIe 6.0

El único producto de todo el paquete que ya está en producción es el PM1763, un SSD empresarial con interfaz PCIe 6.0 x4. Entró en manufactura en julio de 2026 y su versión de 16 TB alcanza los 28.400 MB/s de lectura secuencial, más del doble que un PCIe 5.0 tope de gama. Es la primera unidad PCIe 6.0 comercial del mundo y establece la base sobre la que se construirán las infraestructuras de almacenamiento para modelos IA en 2027, cuando los primeros servidores AMD EPYC Venice (Zen 6) y las plataformas Nvidia Rubin adopten PCIe 6.0 masivamente.

Para consumidores, PCIe 6.0 tardará aún dos o tres años en aterrizar en escritorio, pero el mensaje es claro: el ancho de banda del almacenamiento va a seguir doblandose cada 18-24 meses mientras dure la guerra IA. Ver también nuestro análisis del acelerador Intel Crescent Island con 480 GB de LPDDR5X para entender cómo el otro extremo del mercado también apuesta por escalar memoria.

Comparativa Samsung vs SK Hynix vs Micron (HBM4E)

SK Hynix mantiene una ligera ventaja en cifra bruta de ancho de banda, pero Samsung recupera terreno por dos frentes: llegó primero al sampling (ventaja de un mes que se traduce en más ciclos de qualification con Nvidia) y controla toda la cadena de valor internamente, incluyendo el base die (4 nm Samsung Foundry) y el packaging. SK Hynix depende de TSMC para el base die de HBM4E, lo que le genera dependencia externa y costes cruzados.

Micron ha decidido priorizar HBM4 estándar, del que tiene toda su capacidad 2026 vendida, y saltar a HBM4E cuando el ciclo se estabilice. Es una estrategia conservadora pero le mantiene fuera del podio de la nueva ola.

Impacto en Nvidia: partnership GTC 2026 con HBM4E

Los anuncios de FMS caen sobre un terreno ya labrado. En GTC 2026 (marzo, San José) Samsung mostró públicamente HBM4E por primera vez, dentro de un stand conjunto con Nvidia bajo el título "Architecting the AI Era". El 5 de junio de 2026 Jensen Huang confirmó en persona que Samsung, SK Hynix y Micron han pasado la certificación de HBM4 para Vera Rubin. Samsung, al haber empezado la qualification antes (con HBM4 en producción desde febrero de 2026), se aseguró aproximadamente el 30% del pedido total de Vera Rubin, subiendo desde el mid-20% proyectado inicialmente.

El siguiente paso es HBM4E para Rubin Ultra. Al haber sido primera en muestrear, Samsung sale con ventaja competitiva para capturar cuota de este ciclo. La ecuación no depende solo del ancho de banda: Nvidia y AMD miran también rendimiento térmico, yield del proveedor, capacidad total de fabricación y precio. En todos esos ejes, Samsung ha invertido billones de wones en 2025-2026 para volver a estar arriba. Ver la comparativa con la nueva plataforma AMD Helios MI455X con Zen 6 Venice que también aprovecha HBM4/HBM4E.

Timeline: cuándo llegará zHBM a productos reales

• 2026 H2: mass production HBM4 (Samsung, SK Hynix, Micron). Sampling HBM4E de los tres.
• 2027 Q1-Q2: mass production HBM4E. Lanzamiento Nvidia Rubin Ultra con HBM4E.
• 2028: primeros samples de HBM5 (Samsung y SK Hynix apuntan a este año). Volumen limitado.
• 2029: HBM5 en producción masiva. Roadmap SK Hynix confirma HBM5 y HBM5E para 2029-2031.
• 2029-2030: primeros prototipos ingenieriles de zHBM en customer engagements confidenciales.
• 2031-2032: producción comercial de zHBM (asumiendo que la industria de packaging esté lista para hybrid bonding masivo).

En resumen: zHBM no llegará a productos comerciales antes de 2031. Es un anuncio de visión, no de roadmap ejecutable. Pero como sucedió con HBM en 2013 (primer sample) frente a su adopción masiva en 2016 con Fiji AMD y luego Pascal Nvidia, plantar la bandera hoy vale mucho: fija estándares, atrae partners y da al mercado la confianza de que Samsung tiene visibilidad a 5-8 años vista.

Qué significa esto para el usuario de escritorio

Toda esta feria de memoria empresarial parece ajena al que juega, edita vídeo o entrena LoRAs en casa. Pero hay tres impactos directos en el mercado de consumo durante los próximos 12-18 meses.

Primero, presión al alza en precios DRAM y NAND: la demanda insaciable de las hyperscalers está copando las líneas de producción avanzadas de Samsung, SK Hynix y Micron. La memoria DDR5 para escritorio y los SSDs NVMe han subido de precio durante todo 2026 (crisis RAM-SSD que hemos cubierto en detalle) y el V10 BV-NAND no llegará al consumidor hasta finales de 2027. Si estás pensando en montar workstation, cuanto antes mejor.

Segundo, aceleración de PCIe 6.0 en chipsets AM6 e Intel LGA 1954: el PM1763 demuestra que la industria de SSDs ya está lista. El próximo salto en placas base (previsible para 2027 con Zen 6 y Panther Lake) traerá controllers PCIe 6.0 que doblarán el ancho de banda de tu M.2. Es la última vez que compras una placa Gen5 sabiendo que Gen6 está a la vuelta de la esquina.

Tercero, IA local escalada: LPDDR5X-PIM en 2027 hará que los laptops con NPU y las workstations compactas ejecuten modelos de 7B-13B parámetros con latencias muy inferiores a las actuales. El hardware que compres hoy debería ser el último ciclo sin PIM en modo mainstream.

Cómo montar workstation IA aprovechando esta memoria

Este es el momento óptimo para invertir en una workstation de perfil creador o dev IA con la mirada puesta en aprovechar el ecosistema HBM4/HBM4E que se está desplegando. Enfoque: máxima memoria útil (RAM del sistema y VRAM), almacenamiento NVMe rapido para cargar checkpoints y placa base con margen para 128-256 GB de DDR5. Lo que pondría hoy mismo en la cesta:

Almacenamiento NVMe

• Samsung 990 Pro 4TB (PCIe 4.0, sin heatsink): el gold standard para checkpoints de LoRA y datasets. Fiable, rápido, 7.450 MB/s lectura.
• Samsung 990 Pro 4TB con heatsink (PS5 compatible): la version refrigerada, imprescindible si vas a martillear escrituras sostenidas (fine-tuning, video 8K).
• Kingston Fury Renegade 4TB PCIe Gen4: alternativa top-tier con disipador de grafeno integrado.
• Kingston Fury Renegade G5 8TB PCIe Gen5: si tu placa tiene slot Gen5, el próximo peldaño de ancho de banda para carga de modelos grandes.

Memoria DDR5

• Corsair Vengeance RGB DDR5 64GB 6400 MHz CL32: kit 2x32 GB de altas frecuencias, sweet spot para AM5 con Ryzen 9.
• Corsair Vengeance DDR5 64GB 6000 MHz AMD EXPO: perfil validado para plataformas Ryzen, latencias CL30.
• G.Skill Trident Z5 64GB DDR5 6400 MHz CL32: perfil premium para Intel Core Ultra con Intel XMP 3.0.
• G.Skill Trident Z5 Neo RGB 64GB 6000 MT/s CL36 EXPO: la variante Neo para chipsets AMD X870E.

CPU y placa base

• AMD Ryzen 9 9950X3D: 16 núcleos con 3D V-Cache, top absoluto para ML local, compilación y creator work.
• MSI PRO X870E-P WiFi (ATX X870E): 14 fases duales, DDR5 OC hasta 8200 MT/s, WiFi 7, PCIe 5.0 y M.2 Gen5.
• ASUS ROG Strix X870E-E Gaming WiFi: 18+2+2 fases DrMOS, 5 slots M.2, USB4 Type-C 30W, la opción de gama alta consolidada.
• GIGABYTE X870E AORUS PRO: alternativa robusta con 4 M.2, USB4 y garantía de 5 años.

Almacenamiento SD Express (movilidad)

• SanDisk microSD Express 512GB (880 MB/s): tarjeta SD Express compatible con Switch 2 y con lectores externos next-gen. Sirve para offload rápido de assets.

Lectura recomendada

• Computer Architecture: A Quantitative Approach (Hennessy y Patterson): la biblia de la arquitectura de computadores. Capítulos actualizados sobre jerarquías de memoria, packaging avanzado y aceleradores IA. Imprescindible si quieres entender por qué zHBM cambia tanto las reglas.

Preguntas frecuentes (FAQ)

Conclusión: Samsung ha vuelto a la mesa

Durante casi tres años, la conversación sobre memoria HBM giraba alrededor de un único nombre: SK Hynix. Su dominio en HBM3e y su liderazgo temprano en HBM4 dejaron a Samsung en un rol secundario que muchos daban por consolidado. La foto que sale de FMS 2026 borra ese relato de un plumazo. Con HBM4E ya en muestras desde mayo, V10 BV-NAND desvelando el primer NAND con wafer bonding, LPDDR5X-PIM adelantándose en procesamiento en memoria y zHBM plantando una bandera para 2030+, Samsung ha reclamado el asiento principal en cinco frentes simultáneos.

Para el ecosistema esto es una gran noticia. Competencia real entre Samsung, SK Hynix y Micron significa mejores precios de HBM para Nvidia y AMD, aceleradores más potentes en menos tiempo y presión para que los tres inviertan aún más en I+D. Para el consumidor con workstation en el escritorio, la señal es clara: la memoria que compres hoy va a durar hasta 2027-2028, momento en el que el mercado dará un salto grande con PCIe 6.0, V10 BV-NAND en SSDs consumer y LPDDR5X-PIM en laptops. Ese ciclo empieza a moverse ya. Estar en el lado correcto de la memoria ha vuelto a ser rentable.